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論文

New in-situ parallel-detection electron energy-loss spectroscopy of SiC crystals irradiated with hydrogen ions

北條喜一; 古野茂実; 曽我猛; 出井数彦

Journal of Nuclear Materials, 179-181, p.411 - 414, 1991/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(91)90112-K

被引用回数：11 パーセンタイル：74.35(Materials Science, Multidisciplinary)

SiC結晶に低速水素イオンを照射し、形成される照射欠陥の挙動をその場で観察しながら、同時にパラレル-EELSによる測定を行い構造変化および電子状態の変化を測定した。SiC結晶の第1、第2プラズモン損失ピータが照射量の増加にともない低エネルギ側にシフトすることを測定した。このピークのシフトは試料組成比の変化に起因する。このシフト量からSi/Cが約1.2であることが推定できた。又、1310 $^{18}$ ions/cm $^{2}$ 以上の照射量で、13.6eV近傍に新しい損失ピークが観察できた。